非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。 
　　FM25H20是串行闪存的理想替代产品，用于要求低功耗和最小板卡空间的精密电子系统中，包括便携式医疗设备如助听器等，它们实际上是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，F-RAM的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。　
　　Ramtron 战略市场拓展经理 Duncan Bennett 解释道：“对于那些需要在其新一代应用中提高数据采集能力，却不增加板卡空间的计量和打印机客户而言，这款 2Mb 串行 F-RAM 是自然的产品延伸。FM25H20 以相同的小占位面积，为半兆位串行 F-RAM 客户提供高达四倍的存储能力。除提升现有系统外，这种技术发展还推动 F-RAM 进入多个需要低功耗存储器而空间严重受限的新兴市场，如便携式医疗设备。”
产品特点
　　FM25H20是256K x 8位非易失性存储器，以高达40MHz的总线速度进行读写操作，具有几乎无限的耐用性、10年的数据保存能力，以及低工作电流。该器件设有工业标准SPI接口，优化了F-RAM的高速写入能力。FM25H20还备有软件和硬件写保护功能，能避免意外的写入与数据损坏。

Ramtron市场拓展经理Duncan Bennett解释道：“我们的V系列F-RAM产品能够满足客户对低工作电压及集成功能的需求，比如说减小板卡空间及降低装配成本和器件成本。我们的高密度F-RAM生产工艺已经扩展了产品的性能特性，使到V系列F-RAM产品可在很宽泛的电压范围工作。”
    与串行闪存或串行EEPROM不同，FM25V10以总线速度执行写操作，无写入延迟，且数据能够立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。相比串行闪存和串行EEPROM，FM25V10的耐用性高出8个数量级以上，所消耗的有效功率却不到其十分之一。
    FM25V10具有高性能F-RAM功能，适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用，应用范围从需要写入次数多的高频数据采集应用，到严苛的工业控制应用。而在这些应用中，串行闪存或EEPROM因為潜在的数据丢失风险，而并不适用。
    FM25V10具有一个只读器件ID，可以通过一个独一无二的序列号和/或系统重置选项来命令它。器件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序列号使主机拥有一个ID，以区别于世界上任何其它主机。系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要。
    FM25V10可在-40°C至+85°C的工业温度范围工作，以40MHz SPI时钟速率运行时耗电仅为3mA，待机模式耗电仅为90uA，睡眠模式耗电更低至5uA。FM25V10的有功功耗为每MHz 38uA，其电流较同类串行闪存或EEPROM产品低一个数量级。